4.8A Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Configuration：

Continuous Drain Current (ID)：

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

Drain Current-Max (Abs) (ID)：

Drain to Source Breakdown Voltage：

Drain to Source Voltage (Vdss)：

Drain-source On Resistance-Max：

DS Breakdown Voltage-Min：

Fall Time (Typ)：

FET Type：

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

Gate to Source Voltage (Vgs)：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

JESD-609 Code：

Max Power Dissipation：

Moisture Sensitivity Level (MSL)：

Part Status：

Power - Max：

Power Dissipation：

Published：

Qualification Status：

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

Rise Time：

RoHS Status：

Terminal Finish：

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：

Turn-Off Delay Time：

Vgs(th) (Max) @ Id：

Voltage - Rated DC：

Weight：

Filter：

6 Records

Image	Part	Manufacturer	Description	Price		Stock	Action
	ZXMN3A06DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC	-	PDF RFQ	147 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ
	ZXMN3A06DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC	-	PDF RFQ	28,595 In-stock Warehouse	ADD TO RFQ

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